MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN

MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN (AON5820_101)

Part Number: AON5820_101

Documents / Media: datasheets AON5820_101

Технические характеристики:

  • Упаковка: Bulk
  • Серия: -
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 10A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1510pF @ 10V
  • Мощность: 1.7W
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
  • Исполнение корпуса: 6-DFN-EP (2x5)

Цена по запросу