MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP (ALD210800APCL)

Part Number: ALD210800APCL

Documents / Media: datasheets ALD210800APCL

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: EPAD®, Zero Threshold™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 4 N-Channel, Matched Pair
  • Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 10.6V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 80mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 10mV @ 10µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: -
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 15pF @ 5V
  • Мощность: 500mW
  • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Корпус: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Исполнение корпуса: 16-PDIP

Цена по запросу