MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP (ALD110904PAL)

Part Number: ALD110904PAL

Documents / Media: datasheets ALD110904PAL

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: EPAD®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • Особенности полевого транзистора: Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 10.6V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 12mA, 3mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.4V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 420mV @ 1µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: -
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2.5pF @ 5V
  • Мощность: 500mW
  • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Корпус: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Исполнение корпуса: 8-PDIP

Цена по запросу