MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP

MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP (ALD1103PBL)

Part Number: ALD1103PBL

Documents / Media: datasheets ALD1103PBL

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair
  • Особенности полевого транзистора: Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 10.6V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 40mA, 16mA
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 Ohm @ 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 10µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: -
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 10pF @ 5V
  • Мощность: 500mW
  • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Корпус: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Исполнение корпуса: 14-PDIP

Цена по запросу