![TRANSISTOR NPN US6](/site/images/not_found.jpg?1177680943)
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANSISTOR NPN US6 (HN3C10FUTE85LF)
Part Number: HN3C10FUTE85LF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 12V
- Трансформация частоты: 7GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
- Усиление: 11.5dB
- Мощность: 200mW
- Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 80mA
- Рабочая температура: -
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Исполнение корпуса: US6
Цена по запросу