Toshiba Semiconductor and Storage
RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N (MT3S111(TE85L,F))
Part Number: MT3S111(TE85L,F)
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип транзистора: NPN
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 6V
- Трансформация частоты: 11.5GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
- Усиление: 12dB
- Мощность: 700mW
- Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 100mA
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Исполнение корпуса: S-Mini
Цена по запросу