Microsemi
TRANS RF BIPO 8750W 100A 55TU1 (MDS1100)
Part Number: MDS1100
Documents / Media: datasheets MDS1100
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип транзистора: NPN
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 65V
- Трансформация частоты: 1.03GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): -
- Усиление: 8.9dB
- Мощность: 8750W
- Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 100A
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 55TU-1
- Исполнение корпуса: 55TU-1
Цена по запросу