ROHM Semiconductor
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 (IMB9AT110)
Part Number: IMB9AT110
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Not For New Designs
- Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 100mA
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 50V
- Resistor - Base (R1): 10 kOhms
- Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
- Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
- Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
- Обратный ток коллектора (Max): 500nA
- Трансформация частоты: 250MHz
- Мощность: 300mW
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: SC-74, SOT-457
- Исполнение корпуса: SMT6
Цена по запросу