Toshiba Semiconductor and Storage
X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V (CRZ10(TE85L,Q,M))
Part Number: CRZ10(TE85L,Q,M)
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz): 10V
- Допуск: ±10%
- Мощность: 700mW
- Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 10µA @ 6V
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1V @ 200mA
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOD-123F
- Исполнение корпуса: S-FLAT (1.6x3.5)
Цена по запросу