Toshiba Semiconductor and Storage
X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V (CMZ27(TE12L,Q,M))
Part Number: CMZ27(TE12L,Q,M)
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz): 27V
- Допуск: ±10%
- Мощность: 2W
- Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 10µA @ 19V
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.2V @ 200mA
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOD-128
- Исполнение корпуса: M-FLAT (2.4x3.8)
Цена по запросу