Sanyo Semiconductor / ON Semiconductor
DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 (1N5986B_T50R)
Part Number: 1N5986B_T50R
Documents / Media: datasheets 1N5986B_T50R
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz): 2.7V
- Допуск: ±5%
- Мощность: 500mW
- Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 75µA @ 1V
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.2V @ 200mA
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: DO-204AH, DO-35, Axial
- Исполнение корпуса: DO-35
Цена по запросу