ROHM Semiconductor
DIODE ZENER 9.1V 500MW TUMD2M (TFZVTR9.1B)
Part Number: TFZVTR9.1B
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz): 9.1V
- Допуск: -
- Мощность: 500mW
- Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 500nA @ 6V
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: -
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 2-SMD, Flat Lead
- Исполнение корпуса: TUMD2M
Цена по запросу