ROHM Semiconductor
DIODE ZENER 9.1V 100MW VMN2 (CDZT2R9.1B)
Part Number: CDZT2R9.1B
Documents / Media: datasheets CDZT2R9.1B
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Not For New Designs
- Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz): 9.1V
- Допуск: ±2%
- Мощность: 100mW
- Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 500nA @ 6V
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: -
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOD-923
- Исполнение корпуса: VMN2
Цена по запросу