ROHM Semiconductor
DIODE ZENER 8.2V 100MW VMN2M (CDZVT2R8.2B)
Part Number: CDZVT2R8.2B
Documents / Media: datasheets CDZVT2R8.2B
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz): 8.2V
- Допуск: -
- Мощность: 100mW
- Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 500nA @ 5V
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: -
- Рабочая температура: 150°C
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 2-SMD, Flat Lead
- Исполнение корпуса: VMN2M
Цена по запросу