ROHM Semiconductor
DIODE ZENER 6.8V 100MW VMD2 (VDZT2R6.8B)
Part Number: VDZT2R6.8B
Documents / Media: datasheets VDZT2R6.8B
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz): 6.8V
- Допуск: ±2%
- Мощность: 100mW
- Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 500nA @ 3.5V
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: -
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 2-SMD, Flat Lead
- Исполнение корпуса: VMD2
Цена по запросу