ROHM Semiconductor
DIODE ZENER 5.6V 500MW LLDS (RLZTE-115.6B)
Part Number: RLZTE-115.6B
Documents / Media: datasheets RLZTE-115.6B
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz): 5.6V
- Допуск: ±3%
- Мощность: 500mW
- Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 5µA @ 2.5V
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: -
- Рабочая температура: -
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
- Исполнение корпуса: LLDS
Цена по запросу