ROHM Semiconductor
DIODE ZENER 4.7V 100MW GMD2 (GDZT2R4.7)
Part Number: GDZT2R4.7
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Not For New Designs
- Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz): 4.7V
- Допуск: ±5%
- Мощность: 100mW
- Impedance (Max) (Zzt): -
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 2µA @ 1V
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: -
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 0201 (0603 Metric)
- Исполнение корпуса: GMD2
Цена по запросу