ROHM Semiconductor
DIODE ZENER 4.3V 100MW VMD2 (VDZT2R4.3B)
Part Number: VDZT2R4.3B
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz): 4.3V
- Допуск: ±3%
- Мощность: 100mW
- Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 5µA @ 1V
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: -
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 2-SMD, Flat Lead
- Исполнение корпуса: VMD2
Цена по запросу