ROHM Semiconductor
DIODE ZENER 11V 500MW MSD (MTZJT-7711B)
Part Number: MTZJT-7711B
Documents / Media: datasheets MTZJT-7711B
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Box (TB)
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz): 11V
- Допуск: ±3%
- Мощность: 500mW
- Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 200nA @ 8V
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: -
- Рабочая температура: -
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: DO-204AG, DO-34, Axial
- Исполнение корпуса: MSD
Цена по запросу