Microsemi
ZENER DIODES (1N4101D-1)
Part Number: 1N4101D-1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz): 8.2V
- Допуск: ±1%
- Мощность: 500mW
- Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 500nA @ 6.3V
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.1V @ 200mA
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: DO-204AH, DO-35, Axial
- Исполнение корпуса: DO-35 (DO-204AH)
Цена по запросу