Microsemi
DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 (JAN1N757C-1)
Part Number: JAN1N757C-1
Documents / Media: datasheets JAN1N757C-1
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/127
- Состояние детали: Active
- Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz): 9.1V
- Допуск: ±2%
- Мощность: 500mW
- Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 1µA @ 7V
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.1V @ 200mA
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: DO-204AH, DO-35, Axial
- Исполнение корпуса: DO-35
Цена по запросу