Microsemi
DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 (1N4767)
Part Number: 1N4767
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz): 9.1V
- Допуск: ±5%
- Мощность: 500mW
- Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): -
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: -
- Рабочая температура: 0°C ~ 75°C
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: DO-204AH, DO-35, Axial
- Исполнение корпуса: DO-35
Цена по запросу