Microsemi
DIODE ZENER 10 W DO-4 (1N2982RBE3)
Part Number: 1N2982RBE3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz): 18V
- Допуск: ±5%
- Мощность: 10W
- Impedance (Max) (Zzt): 4 Ohms
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 10µA @ 13.7V
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.5V @ 2A
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Stud Mount
- Корпус: DO-203AA, DO-4, Stud
- Исполнение корпуса: DO-203AA (DO-4)
Цена по запросу