Central Semiconductor
DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 (1N5996B BK)
Part Number: 1N5996B BK
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz): 6.8V
- Допуск: ±5%
- Мощность: 500mW
- Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 1µA @ 5.2V
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.5V @ 100mA
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: DO-204AH, DO-35, Axial
- Исполнение корпуса: DO-35
Цена по запросу