WeEn Semiconductors Co., Ltd
DIODE GEN PURP 600V 9A D2PAK (BYV29B-600PJ)
Part Number: BYV29B-600PJ
Documents / Media: datasheets BYV29B-600PJ
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 600V
- Прямой ток (If) (Max): 9A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.3V @ 8A
- Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 75ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 10µA @ 600V
- Емкость @ Vr, F: -
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Исполнение корпуса: D2PAK
- Рабочая температура pn-прехода: 175°C (Max)
Цена по запросу