Vishay
DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB (NSB8KT-E3/81)
Part Number: NSB8KT-E3/81
Documents / Media: datasheets NSB8KT-E3/81
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 800V
- Прямой ток (If) (Max): 8A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.1V @ 8A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): -
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 10µA @ 800V
- Емкость @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Исполнение корпуса: TO-263AB
- Рабочая температура pn-прехода: -55°C ~ 150°C
Цена по запросу