Vishay
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB (RGL41KHE3_A/I)
Part Number: RGL41KHE3_A/I
Documents / Media: datasheets RGL41KHE3_A/I
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 800V
- Прямой ток (If) (Max): 1A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.3V @ 1A
- Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 500ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 5µA @ 800V
- Емкость @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: DO-213AB, MELF (Glass)
- Исполнение корпуса: DO-213AB
- Рабочая температура pn-прехода: -65°C ~ 175°C
Цена по запросу