Vishay
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB (SE10FDHM3/I)
Part Number: SE10FDHM3/I
Documents / Media: datasheets SE10FDHM3/I
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 200V
- Прямой ток (If) (Max): 1A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.05V @ 1A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 780ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 5µA @ 200V
- Емкость @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: DO-219AB
- Исполнение корпуса: DO-219AB (SMF)
- Рабочая температура pn-прехода: -55°C ~ 175°C
Цена по запросу