Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79 (1SS307E,L3F)
Part Number: 1SS307E,L3F
Documents / Media: datasheets 1SS307E,L3F
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 80V
- Прямой ток (If) (Max): 100mA
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.3V @ 100mA
- Скорость: Small Signal =
- Время восстановления запорного слоя (trr): -
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 10nA @ 80V
- Емкость @ Vr, F: 6pF @ 0V, 1MHz
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: SC-79, SOD-523
- Исполнение корпуса: SC-79
- Рабочая температура pn-прехода: 150°C (Max)
Цена по запросу