Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2 (1SS352,H3F)
Part Number: 1SS352,H3F
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 80V
- Прямой ток (If) (Max): 100mA
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.2V @ 100mA
- Скорость: Small Signal =
- Время восстановления запорного слоя (trr): 4ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 500nA @ 80V
- Емкость @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: SC-76A
- Исполнение корпуса: SC-76-2
- Рабочая температура pn-прехода: 125°C (Max)
Цена по запросу