Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT (CMG06(TE12L,Q,M))
Part Number: CMG06(TE12L,Q,M)
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 600V
- Прямой ток (If) (Max): 1A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.1V @ 1A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): -
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 10µA @ 600V
- Емкость @ Vr, F: -
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOD-128
- Исполнение корпуса: M-FLAT (2.4x3.8)
- Рабочая температура pn-прехода: -40°C ~ 150°C
Цена по запросу