Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59 (1SS250(TE85L,F))
Part Number: 1SS250(TE85L,F)
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Not For New Designs
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 200V
- Прямой ток (If) (Max): 100mA
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.2V @ 100mA
- Скорость: Small Signal =
- Время восстановления запорного слоя (trr): 60ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 1µA @ 200V
- Емкость @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Исполнение корпуса: SC-59
- Рабочая температура pn-прехода: 125°C (Max)
Цена по запросу