Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC (BAS516,L3F)
Part Number: BAS516,L3F
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 100V
- Прямой ток (If) (Max): 250mA
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.25V @ 150mA
- Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 3ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 200nA @ 80V
- Емкость @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: SC-79, SOD-523
- Исполнение корпуса: ESC
- Рабочая температура pn-прехода: 150°C (Max)
Цена по запросу