DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S (SICRF6650)

Part Number: SICRF6650

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: -
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr): 650V
  • Прямой ток (If) (Max): 6A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.8V @ 6A
  • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr): 0ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 50µA @ 650V
  • Емкость @ Vr, F: 150pF @ 5V, 1MHz
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
  • Исполнение корпуса: ITO-220AC
  • Рабочая температура pn-прехода: -55°C ~ 175°C

Цена по запросу