DIODE GEN PURP 50V 1.1A

DIODE GEN PURP 50V 1.1A (1N5802US)

Part Number: 1N5802US

Documents / Media: datasheets 1N5802US

Технические характеристики:

  • Упаковка: Bulk
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип диода: Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr): 50V
  • Прямой ток (If) (Max): 1.1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 875mV @ 1A
  • Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr): 25ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 1µA @ 50V
  • Емкость @ Vr, F: 25pF @ 5V, 1MHz
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: SQ-MELF
  • Исполнение корпуса: -
  • Рабочая температура pn-прехода: -

Цена по запросу