Sanyo Semiconductor / ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE (NRVBM110ET1G)
Part Number: NRVBM110ET1G
Documents / Media: datasheets NRVBM110ET1G
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: POWERMITE®
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Schottky
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 10V
- Прямой ток (If) (Max): 1A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 595mV @ 2A
- Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): -
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 1µA @ 10V
- Емкость @ Vr, F: -
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: DO-216AA
- Исполнение корпуса: Powermite
- Рабочая температура pn-прехода: -55°C ~ 150°C
Цена по запросу