Sanyo Semiconductor / ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK (NHPD660T4G)
Part Number: NHPD660T4G
Documents / Media: datasheets NHPD660T4G
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 600V
- Прямой ток (If) (Max): 6A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 3V @ 6A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 30ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 30µA @ 600V
- Емкость @ Vr, F: -
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Исполнение корпуса: DPAK
- Рабочая температура pn-прехода: -65°C ~ 175°C
Цена по запросу