ROHM Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 20A TO220 (RFN20TJ6SGC9)
Part Number: RFN20TJ6SGC9
Documents / Media: datasheets RFN20TJ6SGC9
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 600V
- Прямой ток (If) (Max): 20A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.55V @ 20A
- Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 140ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 10µA @ 600V
- Емкость @ Vr, F: -
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220-2 Full Pack
- Исполнение корпуса: TO-220ACFP
- Рабочая температура pn-прехода: 150°C (Max)
Цена по запросу