ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD (EGP30J)
Part Number: EGP30J
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 600V
- Прямой ток (If) (Max): 3A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.7V @ 3A
- Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 75ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 5µA @ 600V
- Емкость @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: DO-201AD, Axial
- Исполнение корпуса: DO-201AD
- Рабочая температура pn-прехода: -65°C ~ 150°C
Цена по запросу