Microsemi
DIODE SILICON 650V 17A TO220 (APT10SCD65K)
Part Number: APT10SCD65K
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 650V
- Прямой ток (If) (Max): 17A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.8V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 0ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 200µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220-2
- Исполнение корпуса: TO-220 [K]
- Рабочая температура pn-прехода: -55°C ~ 150°C
Цена по запросу