Microsemi
DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B (1N6630US)
Part Number: 1N6630US
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 900V
- Прямой ток (If) (Max): 1.4A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.7V @ 3A
- Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 50ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 4µA @ 100V
- Емкость @ Vr, F: -
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: E-MELF
- Исполнение корпуса: D-5B
- Рабочая температура pn-прехода: -65°C ~ 150°C
Цена по запросу