Microsemi
DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B (JAN1N6628US)
Part Number: JAN1N6628US
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/590
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 660V
- Прямой ток (If) (Max): 1.75A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.35V @ 2A
- Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 30ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 2µA @ 660V
- Емкость @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: E-MELF
- Исполнение корпуса: D-5B
- Рабочая температура pn-прехода: -65°C ~ 150°C
Цена по запросу