Microsemi
DIODE GEN PURP 600V 3A D5B (1N5552US)
Part Number: 1N5552US
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 600V
- Прямой ток (If) (Max): 3A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.2V @ 9A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 2µs
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 1µA @ 600V
- Емкость @ Vr, F: -
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: SQ-MELF, B
- Исполнение корпуса: D-5B
- Рабочая температура pn-прехода: -65°C ~ 175°C
Цена по запросу