Microsemi
DIODE GEN PURP 600V 1A A-MELF (JANTXV1N5619US)
Part Number: JANTXV1N5619US
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/429
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 600V
- Прямой ток (If) (Max): 1A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.6V @ 3A
- Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 250ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 500nA @ 600V
- Емкость @ Vr, F: -
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: SQ-MELF, A
- Исполнение корпуса: D-5A
- Рабочая температура pn-прехода: -65°C ~ 175°C
Цена по запросу