Microsemi
DIODE GEN PURP 50V 6A D5B (1N6076US)
Part Number: 1N6076US
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 50V
- Прямой ток (If) (Max): 6A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.76V @ 18.8A
- Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 30ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 5µA @ 50V
- Емкость @ Vr, F: -
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: SQ-MELF, E
- Исполнение корпуса: D-5B
- Рабочая температура pn-прехода: -65°C ~ 155°C
Цена по запросу