Microsemi
DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL (JAN1N5415US)
Part Number: JAN1N5415US
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/411
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 50V
- Прямой ток (If) (Max): 3A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.5V @ 9A
- Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 150ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 1µA @ 50V
- Емкость @ Vr, F: -
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: B, Axial
- Исполнение корпуса: -
- Рабочая температура pn-прехода: -65°C ~ 175°C
Цена по запросу