Microsemi
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 (1N4150-1)
Part Number: 1N4150-1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 50V
- Прямой ток (If) (Max): 200mA
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1V @ 200mA
- Скорость: Small Signal =
- Время восстановления запорного слоя (trr): 4ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 100nA @ 50V
- Емкость @ Vr, F: -
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: DO-204AH, DO-35, Axial
- Исполнение корпуса: DO-35
- Рабочая температура pn-прехода: -65°C ~ 175°C
Цена по запросу