Microsemi
DIODE GEN PURP 200V 1A D5A (1N5615US)
Part Number: 1N5615US
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 200V
- Прямой ток (If) (Max): 1A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.6V @ 3A
- Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 150ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 500nA @ 200V
- Емкость @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: SQ-MELF, A
- Исполнение корпуса: D-5A
- Рабочая температура pn-прехода: -65°C ~ 175°C
Цена по запросу