Microsemi
DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL (JANS1N5615)
Part Number: JANS1N5615
Documents / Media: datasheets JANS1N5615
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/429
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 200V
- Прямой ток (If) (Max): 1A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.6V @ 3A
- Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 150ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 500nA @ 200V
- Емкость @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: A, Axial
- Исполнение корпуса: -
- Рабочая температура pn-прехода: -65°C ~ 175°C
Цена по запросу