Microsemi
DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A (JAN1N5622US)
Part Number: JAN1N5622US
Documents / Media: datasheets JAN1N5622US
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/427
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 1000V
- Прямой ток (If) (Max): 1A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.3V @ 3A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 2µs
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 500nA @ 1000V
- Емкость @ Vr, F: -
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: SQ-MELF, A
- Исполнение корпуса: D-5A
- Рабочая температура pn-прехода: -65°C ~ 200°C
Цена по запросу